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TOKAI KONETSU KOGYO °í±Þ³»È­¹° ´ÙÀ̾ƶóÀÌÆ® Á¦Ç°Àº °í¿Â¿¡¼­ ¶Ù¾î³­ ¼º´ÉÀ» ¹ßÈÖÇÏ´Â Á¦Ç°À» ¿­Àü»ç¿¡¼­ °ø±ÞÇÕ´Ï´Ù.

°í¿Â°ø¾÷ÀÇ ´Ù¾çÇÑ ¿ëµµ¿¡ ºÎÀÀÇÏ¿© µ¿ÇØ°í¿­¿¡¼­´Â, ¹ß¿­Ã¼³ª °¡¿­ÀåÄ¡ µîÀÇ °³¹ßÁ¦Á¶¿¡¼­ ¹è¾çÇÑ ±â¼úÀ» »ì·Á¼­, ´ÙÀ½°ú °°Àº ³»È­¹°À» ÁغñÇÏ°í ÀÖ½À´Ï´Ù.

¡¤ źȭ±Ô¼Ò¸¦ ¿ø·á·ÎÇÑ '´ÙÀ̶óÀÌÆ®'´Â ¿­Àüµµ°¡ ÁÁ°í, ³»È­µµ°¡ ³ô°í, ³»½ºÆú¸µ¼º, ³»¸¶¸ð¼ºÀÌ ¿ì¼öÇÑ Á¦Ç°ÀÔ´Ï´Ù.

¡¤ ¾Ë·ç¹Ì³ª ¶Ç´Â ¹«¶óÀÌÆ®¸¦ ÁÖ¼ººÐÀ¸·ÎÇÑ '´Ù¸£¸¶ÀÌÆ®'´Â °í¿Â°­µµ°¡ ³ô°í, º¯Çü, ¼öÃàÀÌ ÀûÀº °í³»È­µµÀÔ´Ï´Ù. ¶ÇÇÑ ³»½Ä¼ºÀÌ ¶Ù¾î³ª°í, 󸮹°¿¡¼­ÀÇ ¿µÇâÀÌ ÀûÀº Á¦Ç°ÀÔ´Ï´Ù.

¡¤ 1500µµ¿¡¼­, ÀϺο¡¼­´Â 1700µµÀÇ ¿Âµµ±îÁöµµ »ç¿ëÇÒ ¼ö ÀÖ´Â ´ÙÀ̶óÀÌÆ®¿Í ´Ù¸£¸¶ÀÌÆ®´Â, °ø¾÷·ÎÀÇ ³»À忬¿Í, ºØÆÇ, ³»ÆÇ, °©ºÀÀÇ ¿­Ã³¸®¿ëÀÇ µµ±¸¿¬¿Íµî ÀüÀÚ°ø¾÷, ¿ä¾÷, ¾ß±Ý, È­Çеî Æø³ÐÀº ºÐ¾ß¿¡¼­ »ç¿ëµÇ°í ÀÖ½À´Ï´Ù.
´ÙÀ̾ƶóÀÌÆ® ³»È­¹°¼º, źȭ±Ô¼Ò(SiC)¸¦ ÁÖ¿ø·á·ÎÇÏ¿©, °Å±â¿¡ ¼Ò·®ÀÇ Æ¯¼ö°áÇÕÀç ¶Ç´Â ±Ô»ê¿°È­ÇÕ¹°À» ÷°¡ÇØ, °í¿Â¼Ò¼ºÇÑ °í±Þ³»È­¹°ÀÔ´Ï´Ù.




¡¤ źȭ±Ô¼Ò ³»È­¹°Àº, ³»¿­¼º . ³»Æú¸µ¼º. ¿­Àüµµµµ ³»½Ä¼º. °í¿Â°­µµ¿¡ ¶Ù¾î³³´Ï´Ù.
¡¤ È­ÇÐ. ¾ß±Ý. ¿ä¾÷. ÀüÀÚ°ø¾÷ °ü°è µî¿¡ »ç¿ëµÇ°í ÀÖ½À´Ï´Ù.
¡¤ ´ÙÀ̾ƶóÀÌÆ® ³»È­¹° ¸ñÁöÁ¢Âø¿ëÀ¸·Î¼­, Çϱ⿡ ¸ôŸ¸£¸¦ Á¦ÀÛÇÏ°í ÀÖ½À´Ï´Ù.
¡¤ M-1 SCD¿ë (Ư¼ö°áÇÕ¿ë)
¡¤ M-2 DC-1, DC-2, DC-3, DC-4¿ë (±Ô»ê¿° °áÇÕ¿ë)


 


¡¤ ÁúÈ­±Ô¼Ò°áÇÕ ÅºÈ­±Ô¼Ò ³»È­¹°(DC-N)Àº, źȭ±Ô¼Ò¿Í ÁúÈ­±Ô¼ÒÀÇ Æ¯¼ºÀ» °âºñÇÑ ÀåÁ¡À» Áö´Ï°í ÀÖ½À´Ï´Ù.
¡¤ °í¿Â°­µµ°¡ ³ô°í ¾ãÀº Á¦Ç°ÀÇ »ç¿ëÀÌ °¡´ÉÇÕ´Ï´Ù.
¡¤ ·ÎÀÇ ¸¶¹«¸® È¿À²°ú ¿­È¿À²ÀÇ Çâ»óÀ» ²ÒÇÒ ¼ö ÀÖ½À´Ï´Ù.


 


¡¤ źȭ±Ô¼Ò. ¹«¶óÀÌÆ® °áÇÕ ³»È­¹°(DC-M)Àº, ´ÙÀ̾ƶóÀÌÆ®, ´Ù¸£¸¶ÀÌÆ®ÀÇ ¾çƯ¡À» °âºñÇÑ ÀåÁ¡À» °¡Áö°í ÀÖ½À´Ï´Ù.
¡¤ Á¾·¡ ¾Ë·ç¹Ì³ª°èÀÇ ºØÆÇÀÌ¿¡ ÀÌ¿ëµÇ°í ÀÖ´ø °Í¿¡¼­ ³»¿­¼º, °í¿Â°­µµ, ³»½ºÇÁ¸µ¼º, ³»¸¶¸ð¼ºµîÀÌ ¿ä±¸µÇ´Â ¿ëµµ¿¡ »ç¿ëÇÒ ¼ö ÀÖ½À´Ï´Ù.


 


  È­ÇмººÐ Bulk Density Apperent Porosity ¾ÐÃà °­µµ »ç¿ë ¿Âµµ
´Ü À§ (%)   (%) kg/§² (¡É)
silicon carbide Refractories (ź¼Ò³»È­¹°) SiC SiO Al©üO©ý Fe©üO©ý        
SCD

90.0 <11.0 <0.5 <0.7 2.6 14 1000 1500
DC-1 84.0 <13.0 <2.0 <0.7 2.6 14 800 1350
DC-2 80.0 <15.0 <2.0 <0.8 2.5 17 700 1350
DC-3 70.0 <20.0 <10.0 <0.9 2.4 17 600 1300
DC-4 60.0 <25.0 <15.0 <1.0 2.4 23 400 1300
silicon carbide Refractories bonded with silicon nitride SiC Si©ýN©þ        
DC-N 80   20   2.6 15 1400 1400
Refractories made of silicon carbide and mullite SiC SiO©ü Al©üO©ý Fe©üO©ý        
DC-N

- - - - 2.5 17 (150) 1450
SDC ºÎºÐ
86~90 <13.0 <0.5 <0.7 2.6 12 (250) -
DM ºÎºÐ - <28.0 >70.0 <0.5 2.4 22 (100) -
 


 

silicon carbide Refractories (ź¼Ò³»È­¹°)


  Spalling
resistance
Abrasion
resistance
³»ºÎ
½Ä¼º
¿­Àü
µµ¿­
°í¿Â
°­µµ
Oxidation
resistance
±â¹Ð¼º ¿ë µµ
SCD ¡Ý ¡Ý ¡Û ¡Ý ¡Ý ¡â ¡â
È­ÇÐ. ¾ß±Ý. ¿ä¾÷. ÀüÀÚ°ø¾÷ °ü°è µî¿¡ »ç¿ë
DC-1 ¡Ý ¡Ý ¡Û ¡Ý ¡Ý ¡Û ¡Û
DC-2 ¡Û ¡Û ¡Û ¡Û ¡Û ¡Û ¡¿
¼Ò¼º·Î¿ë ³»Àå, ¿¬¼Ò½Ç ³»Àå, ±â³»Àå ·Î ´ëÂ÷ÁöÁÖ
DC-3 ¡Û ¡Û ¡â ¡Û ¡â ¡Û ¡¿
DC-4 ¡Û ¡â ¡Û ¡Û ¡â ¡Û ¡¿
 

silicon carbide Refractories bonded with silicon nitride


  Spalling
resistance
Abrasion
resistance
³»ºÎ
½Ä¼º
¿­Àü
µµ¿­
°í¿Â
°­µµ
Oxidation
resistance
±â¹Ð¼º ¿ë µµ